报告题目一：反旋转波相互作用及其物理效应

报告人：郑杭教授

上海交通大学

报告摘要：量子系统与电磁场之间的相互作用可以区分为旋转波和反旋转波两部分，一般理论处理只考虑旋转波相互作用而忽略反旋转波部分（通常称为旋转波近似）。这是因为很多情况下旋转波近似已可以得到正确的结果，并且理论处理比较简单。我们提出采用幺正变换方法处理反旋转波相互作用，在保持理论处理相对简单的基础上可以正确地理解反旋转波相互作用的物理效应。报告中将介绍以下三项处理反旋转波相互作用的工作：1、发现反旋转波作用可以极大地改变量子态演化的短时行为，预言对氢原子2P-1S态的量子Zeno效应的观测可能要比以前认为的容易得多。2、对于Jaynes-Cummings光腔晶格，指出光场与量子态之间的反旋转波相互作用会对polariton系统在Mott绝缘态与超流态之间的量子相变行为产生重要影响，预言的相图与Bose-Hubbard模型的相图完全不同。3、提出处理量子态在外场驱动下动力学行为的新方法，得到准确的隧穿相干淬灭和Bloch-Siegert移动。

时间：2017年5月12日（周五）上午8:30-10:00

报告题目二：III族氮化物半导体原子级外延调控

报告人：王新强教授

北京大学

报告摘要：InGaN化合物半导体的禁带宽度从3.39 eV至0.64 eV连续可调，其波长覆盖了深紫外至近红外波段，在发射和探测波长高度可调的光电器件方面具有重要的应用。然而，热力学相的不稳定性导致相分离的出现，并引发大量结构缺陷，使得高晶体质量的InGaN薄膜很难实现。为了解决这一问题，可以利用(InN)m/(GaN)n短周期超晶格(SPSLs)代替随机的InGaN合金，以消除InGaN合金组分在空间上的波动。这样的结构需要原子尺度的外延调控。本报告将就此问题，向大家汇报单原子层厚InGaN的外延生长，InGaN单原子层中In和Ga原子周期性排列的实验观测及其形成机制，GaN准单原子层的外延生长及其器件应用。

时间：2017年5月12日（周五）上午10:00-11:30

地点：前卫南区唐敖庆楼C区603报告厅

举办单位：超硬材料国家重点实验室

物理学院

吉林省物理学会

中国物理学会高压物理专业委员会