庆祝吉林大学建校70周年系列活动之物质科学前沿高端论坛14

报告题目：GaN基半导体新热点：从半导体照明到功率电子器件

报 告 人：沈波 教授

北京大学物理学院

报告简介：III族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去 20年来，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件 受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。本报告将首先介绍半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析当前GaN基LED芯片技术 面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力 电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行较详细的分析。最后简要介绍北京大学10多年 在此领域取得的一些在国内外有一定影响的研究进展。

地  点：前卫南区唐敖庆楼C区603报告厅

时  间：2016年7月8日（周五）下午2:00

举办单位：超硬材料国家重点实验室

物理学院

吉林省物理学会

中国物理学会高压物理专业委员会