报告题目：二维无机分子晶体

报告人：翟天佑 教授 华中科技大学

报告时间：2024年8月17日（周六）下午3:00

报告地点：超硬实验综合楼5楼A514会议室

报告摘要：石墨烯等二维材料在层间由范德华力结合，层内由强化学键结合。与之完全不同，我们研究的二维无机分子晶体以无悬挂键的笼状小分子为结构单元，在三维方向上均通过范德华力结合。我们首先提出了二维无机分子晶体的新概念，发展了表面钝化的气相生长方法，实现了二维无机分子晶体Sb₂O₃的可控合成，并探索了其相变的微观过程和机理；通过光谱学实验方法并结合理论计算，深入研究了无机分子晶体中强分子间相互作用的物理本质和起源，揭示了其对分子间电荷输运的显著影响；我们利用热蒸镀法制备了晶圆级二维Sb₂O₃范德华介电薄膜，通过减小载流子的界面散射并增大栅极电容，显著提高了二维晶体管器件的迁移率并大幅降低器件操作电压，为高性能、低功耗的二维电子器件的规模化集成提供了新的思路。我们关于二维无机分子晶体的系列工作不仅丰富了二维材料的概念，也在无机分子的性质以及器件应用研究方面打开了崭新的局面。

个人简介：翟天佑，华中科技大学材料科学与工程学院教授，主要从事二维材料化学与光电子器件研究，已发表SCI论文500余篇，引用3.8万余次，H指数107，其中以第一/通讯作者在Nat. Mater./Nat. Electron. (4), Nat. Commun./Sci. Adv. (7), JACS/Angew/ Adv. Mater. (51)等期刊上发表论文280余篇。主编英文专著1部，授权发明专利35项。入选中国化学会会士、英国皇家化学会会士和全球高被引科学家名录，曾获湖北省自然科学奖一等奖（排1）、国家自然科学二等奖(排5)、中国半导体十大研究进展、中国化学会青年化学奖、湖北青年五四奖章等奖励。兼任中国化学会理事、中国化学会青年化学工作者委员会副主任等。